Основы английского языка для судовых электриков - страница 105
f
21) the latter
22) to produce a forward bias
23) to switch into saturation
24) forward-biased collector
25) gate
дыдущие задания. Потренируйтесь в обратном переводе, переводя по очереди с русского на английский язык и наоборот, пока не сможете полностью выполнять его самостоятельно.
Задания на передачу содержания текста
7. Объясните по-английски, как пришли к выводу, что:
а) транзистор Е заперт; б) на выходе схемы имеет место низкий уровень напряжения (0,3 В) - лог. 0; в) в результате на выходе будет высокое напряжение.
8. По предлагаемой логической схеме с указанием номеров
предложений и с ключевыми словами передайте на английском языке содержание текста. >
9. Задание для составления аннотации. Выпишите из каждого
абзаца ключевые фрагменты текста. Можете использовать предыдущие задания.'Постарайтесь, чтобы количество предложений соответствовало количеству абзацев оригинального текста. Выписанные предложения должны представлять аннотацию текста. Сверьте свой вариант аннотации с предлагаемым .
TTL circuits comprise a wide range of devices for various functions & come in a few modifications with I chip. Such circuits afford a greater flexibility. The way the circuit operates is described then. The conditions of a low logic-L signal at an input terminal are also described here.
Part 4. Schottky-Clamped TTL The general feature peculiar to all logic ICs described before is that they rely on the nonlinear operation of a transistor, which fully switches off in one logic state & saturates in the other. The
operation in the saturation mode does not allow using to advantage good frequency charactesistics of IC transistors because for a saturated transistor to be driven to cutoff, the excess charge stored in the transistor must first be swept away. This delays the transfer of information. A Schottky diode placed across a transistor can prevent it from saturating.
Schottky-clamped TTL gate circuits have a power dissipation of 20 mW per gate & a mean propagation delay time of 3 ns. Such a high speed becomes possible because the Schottky diode connected between base & collector of the transistor acts as a clamping element & thus accelerates the transition from forward bias to cutoff. Since this diode has a lower forward voltage than the base-collector junction, the excess control current of the base flows through the clamp diode as the transistor turns on. This prevents the transistor from switching into saturation because the base region does not store excess carriers of charge. As a result, the turn-off time of the transistor sharply decreases. The Schottky TTL NAND gate, for example, has a delay of 3 ns with the rise time & the fall time of the output pulse held equal to 2 or 3 ns.
All input transistors of the gate are Schottky transistors instead of common transistors used in the basic TTL gate. A lower forward voltage of the Schottky diode affords a better protection against noise voltages tending to switch on or off the circuit.
Schottky TTL gate circuits operate at the same level of pulses & supply voltages as the common TTL circuits.
Задания для первого знакомства с текстом
1. Просматривая тексту постарайтесь понять, что говорится в нем о: а) нелинейном режиме; б) времени рассасывания заряда; в) ограничивающем (фиксирующем) диоде; г) более низком прямом падении напряжения.
Проверьте, правильно ли вы поняли: а) это общая характерная черта для всех ИС; б) им определяется основная задержка передачи информации; в) им обеспечивается быстродействие ускорением перехода от отпирающего потенциала к запирающему; г) оно дает лучшую защиту против отпирающих и запирающих помех.
2. а) Найдите в тексте фразы, указанаые ниже. б).Дополните их. ( В скобках дается подсказка, где искать дополнительный материал.)
1) This delays the transfer of information (предыдущее предложение). 2) Power dissipation of 20 mW per gate & a mSgn propagation delay time of 3 ns (последующее). 3) As a result, thedurn-off time of the transistor sharply decreases (предыдущее и последующее).
