Компьютерра, 2009 № 07 (771) - страница 9

Предложив в конце прошлого десятилетия импульсный вариант пушки, ученые решили проблему нагрева. В этом случае часть ионов металла удается направить обратно на катод так, чтобы ими (вместо ионов аргона) выбивать дополнительные атомы металла. Количество благородного газа в плазме уменьшается, а качество покрытия повышается.

В новом варианте ионной пушки от инертного газа и вовсе удалось избавиться. Напыление идет в глубоком вакууме при самоподдерживающемся процессе выбивания атомов металла из катода. При этом ток на мишень оказывается заметно больше тока разряда, что ведет к уменьшению нагрева. Отсутствие газа исключает образование дефектов в покрытии и способствует более глубокому проникновению ионов металла в обрабатываемый чип. Качество проводников повышается, а вместе с этим снижается и процент брака.

оскольку инертный газ больше не нужен, ионную пушку можно использовать для напыления даже в космосе. В экспериментах удалось получить рекордное значение тока ионов меди на мишень - 250 ампер, что гораздо больше предельных возможностей других методов. К сожалению, сложный самоподдерживающийся процесс образования ионов в новой пушке сильно зависит от свойств используемого металла. И теперь в планах ученых - адаптировать новый способ для ниобия, сверхпроводящие покрытия из которого заманчиво использовать в ускорителях элементарных частиц. ГА

Уже во второй раз компания HP объявляет открытый конкурс инновационных исследований, в ходе которого команды со всего света будут претендовать на щедрые гранты для реализации своих проектов. За победу поборются научные группы из университетов и НИИ, способные предложить нечто новое по пятнадцати темам, названным организаторами. Среди них: облачные вычисления, новые типы интерфейсов и т. д. Те конкурсанты, что смогут убедить оргкомитет в перспективности своих идей, вправе рассчитывать на финансовую поддержку в размере 50–75 тысяч долларов. Прием заявок открыт на сайте hpl.hp.com/open_innovation/irp. АЗ

***

Базирующаяся во Флориде компания T3 Technologies подала в Европейскую Комиссию жалобу на IBM, обвинив Голубого Гиганта в нарушении антимонопольного законодательства. Поводом для конфликта послужили мэйнфреймы IBM. T3 настаивает, что, поставляя свои мощные вычислительные комплексы со специализированным системным ПО и вместе с тем отказываясь лицензировать его для использования на аппаратных платформах сторонних разработчиков, IBM препятствует здоровой конкуренции. Более того, считает Т3, Голубой Гигант фактически монополизировал сегмент мэйнфреймов, вытеснив оттуда небольшие фирмы. Заметим, что аналогичные претензии к IBM уже предъявляла компания Platform Solutions, специализирующаяся на разработке технологий для систем корпоративного класса. Однако в прошлом году IBM просто-напросто купила эту фирму, и конфликт таким образом был улажен. Чем закончатся споры между IBM и T3 Technologies, пока не ясно, но возможно, что до принудительных судебных постановлений дело и на сей раз не дойдет. ВГ

Новую технологию изготовления светодиодов разработали ученые из Центра нитрида галлия при Кембриджском университете. Метод обещает на порядок снизить стоимость белых светодиодов для освещения, что позволит им конкурировать с люминесцентными лампами и на 75% сократить расходы на электричество.

По сравнению с обычными и люминесцентными лампами светодиоды не только потребляют гораздо меньше энергии, но и служат значительно дольше. Лучшие образцы способны работать без заметного ухудшения светимости до ста тысяч часов. То есть светодиодную лампу не нужно будет менять около шестидесяти лет. И только непомерно высокая цена мешает их широкому распространению.

Сегодня светодиоды из нитрида галлия выращивают на дорогих двухдюймовых подложках из сапфира. В Кембридже научились использовать для этих целей стандартные шестидюймовые подложки из кремния. При этом за один цикл производится в девять раз больше диодов и заметно увеличивается выход годных изделий. Авторы метода говорят, что при массовом производстве можно рассчитывать на десятикратное удешевление светодиодов.