Компьютерра, 2008 № 23 (739) - страница 10

Однако нашлось и немало скептиков. В современном телескопе и помимо зеркала хватает массивных деталей, которые не получится изготовить на Луне. Так что смету строительства лунной обсерватории пока невозможно толком составить. По-видимому, спутник Земли в первую очередь может быть интересен даже не для оптической, а для радиоастрономии. На обратной стороне Луны нет радиопомех от земных источников, и установленный там радиотелескоп сумеет многое рассказать ученым. ГА

По мере совершенствования техпроцессов изготовления чипов повышается и степень интеграции компонентов, что позволяет получать более производительные устройства меньшего размера. Однако вместе с тем все острее встает проблема эффективного отвода тепла. Оригинальный выход нашла корпорация IBM, предложившая интегрировать внутрь процессоров системы водяного охлаждения.

Сейчас процессорные ядра размещаются в одной плоскости, а будущее, по мнению Голубого гиганта, за многослойными микрочипами, в которых те же элементы упакованы в хайтек-"бутерброд". Это позволит существенно повысить быстродействие за счет сокращения длины соединений между компонентами.

Правда, для чипов нового типа обычные системы охлаждения (радиатор плюс кулер) уже не подойдут, поскольку слои микросхем будут нагревать друг друга изнутри. Поэтому IBM предлагает встраивать в чипы тончайшие каналы, по которым будет прокачиваться вода. Подобно тому, как кровеносная система забирает углекислый газ из каждой клетки тела, водяные капилляры, по диаметру сравнимые с человеческим волосом, будут отводить тепло от всех элементов многослойной микросхемы. Изолировать каналы от компонентов чипа предлагается при помощи кремниевых стенок и слоя диоксида кремния.

Новая система охлаждения разрабатывается специалистами IBM совместно с немецкими исследователями из Института Фраунгофера. Вода, подчеркивают ученые, в четыре тысячи раз лучше отводит тепло, нежели воздух, поэтому, проходя между слоями чипа, тончайшие трубочки с жидкостью смогут забирать до 180 Вт тепловой энергии с одного квадратного сантимера. В случае с крупными вычислительными комплексами и суперкомпьютерами, насчитывающими тысячи процессоров, нагретая вода может быть пущена в систему отопления офисных помещений или на другие бытовые нужды. Таким образом, удастся не только обеспечить эффективное охлаждение техники, но и снизить энергозатраты дата-центров.

Впрочем, первые микрочипы с капиллярным охлаждением появятся в лучшем случае через пять-десять лет - для коммерческого применение технологию еще предстоит довести до ума. ВГ

Новый метод изучения электронной и магнитной структуры нескольких атомных слоев вблизи поверхности материала предложили японские физики из Института науки и технологии Нара (Nara Institute of Science and Technology). Метод, названный дифракционной спектроскопией, обещает подсобить разработчикам, конструирующим винчестеры с перпендикулярной записью информации.

В жестких дисках плотность записи вскоре обещает превысить один терабайт на квадратный дюйм пластины. При такой плотности размеры одного бита составят около десяти нанометров. А на подобных масштабах должны доминировать поверхностные магнитные эффекты, которые пока плохо изучены. И без детального понимания особенностей магнитных свойств различных материалов вблизи поверхности инженерам уже не обойтись.

До сих пор в арсенале ученых не было подходящих методов исследования атомных слоев под поверхностью материала. Например, весьма популярная сканирующая туннельная спектроскопия позволяет проанализировать только строение самой поверхности, то есть одного-единственного верхнего слоя атомов. Чтобы проникнуть глубже, японцы реализовали нетривиальную комбинацию двух известных методов - метода дифракции Оже-электронов и спектроскопии поглощения рентгеновского излучения.

Кванты рентгеновского излучения с достаточно большой энергией сначала выбивают электроны из внутренних электронных оболочек атомов. В образовавшиеся дырки падают электроны из внешних электронных оболочек. При этом избыток энергии от падения уносится за счет испускания атомом с внешних электронных оболочек других Оже-электронов. Поскольку эти процессы существенно зависят от энергетических уровней электронов в атомах и ориентации спинов частиц, их анализ позволяет детально разобраться в электронной и магнитной структуре поверхностных слоев материала.