– до закрытия открытых страниц памяти выжидается четыре системных такта;
– 8Т — до закрытия открытых страниц памяти выжидается восемь системных тактов.
Для увеличения быстродействия устанавливаются меньшие значения задержки, но при этом возможна нестабильная работа системы. Оптимальный вариант подбирается опытным путем.
В некоторых версиях BIOS опция может называться Paging Delay или DRAMIdle Timer.
• DRAM R/WLeadoff Timing
Опция позволяет устанавливать время доступа к оперативной памяти в зависимости от используемого модуля памяти. Если быть более точным, то устанавливается число тактов на системной шине до выполнения любых операций с памятью.
Может принимать значения:
– 8/7 — восемь тактов для чтения и семь тактов для записи данных;
– 7/5 — семь тактов для чтения и пять тактов для записи данных. В некоторых версиях BIOS можно встретить другие значения:
– 5 — обычно устанавливается только при работе с EDO DRAM со временем доступа 50 нс и меньше (или SDRAM со временем доступа 10 нс);
– 6 — устанавливается для модулей EDO DRAM со временем доступа 60 нс.
• DRAM Read Burst Timing
Опция позволяет устанавливать задержку при работе с оперативной памятью. Запрос на чтение или запись генерируется процессором не одним байтом, а сразу 4 или 8 последовательными длинными словами в строке. Это ускоряет операции с памятью, т. к. адрес передается один раз, и в дальнейшем происходит чтение или запись данных, относящихся к одной строке. В циклах чтения это выглядит как х-у-у-у для режима Normal Burst или как x-y-y-y-z-y-y-y для режима Back-to-Back Burst. Для оперативной памяти эти цифры не являются строго определенными и могут варьировать в зависимости от ее типа и скорости. Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие. Слишком малые значения могут привести к нестабильной работе памяти и, соответственно, к потере данных.
Допустимые значения для циклов обращения к памяти:
– х222 и хЗЗЗ — для памяти типа EDO DRAM;
– хЗЗЗ и х444 — для памяти типа FPM DRAM;
– x111 и х222 — для памяти типа SDRAM.
На стабильную работу при уменьшении значений оказывает влияние тип чипсета, используемого на материнской плате. Например, чипсеты Triton ТХ и НХ "выдерживают" меньшие значения, чем Triton FX. Следовательно, ТХ и НХ могут работать быстрее, чем FX. В таблице 8.1 приведены некоторые рекомендованные значения для чипсетов компании Intel.
Таблица 8.
1. Рекомендуемые значения задержки для некоторых чипсетов компании Intel
где х – значение, зависящее от типа памяти.
Опция может иметь название DRAM Read Timing.
• DRAM Read Latch Delay
Опция позволяет устанавливать задержку между появлением данных в регистре памяти и их чтением. Большее значение уменьшает быстродействие, но увеличивает стабильность работы.
Может принимать значения:
– 0.0 ns — отсутствие задержки;
– 0.5 ns — задержка равна 0,5 нс;
– 1.0 ns — задержка равна 1 нс;
– 1.5 ns — задержка равна 1,5 нс.
• DRAM Speed Selection
Опция позволяет установить время доступа к оперативной памяти.
Может принимать значения:
– 50 ns — время доступа устанавливается равным 50 нс;
– 60 ns — время доступа устанавливается равным 60 нс;
– 70 ns — время доступа устанавливается равным 70 нс.
Установка меньшего значения, чем требуется для конкретного модуля памяти, может несколько увеличить производительность, но при этом увеличивается шанс получить полностью неработоспособную систему.
• DRAM Timing
Опция позволяет настроить временную характеристику записи/чтения данных в оперативной памяти. Чем меньше значение, тем быстрее идет обмен с памятью.
Может принимать значения:
– Auto — автоматическое определение временных характеристик при каждом включении компьютера;
– 70 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 70 нс;
– 60 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 60 нс;
– 50 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 50 нс.
• DRAM Write Burst Timing
Смысл данной опции полностью идентичен DRAM Read Burst Timing, но речь идет о записи данных.
• Data Integrity (PAR/ECC)
Опция позволяет включить коррекцию ошибок/контроль четности. Вид контроля определяется значением параметра
